SUP85N10-10P-GE3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SUP85N10-10P-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SUP85N10-10P-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 227W (Tc) Through Hole TO-220AB

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ
12787171
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SUP85N10-10P-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
85A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4660 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3.75W (Ta), 227W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220AB
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SUP85

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
Packaging Information
ບັນທຶກ HTML
SUP85N10-10P-GE3-DG
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
SUP85N10-10P-GE3

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
500

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDP100N10
ຜູ້ຜະລິດ
Fairchild Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2970
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDP100N10-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.72
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STP100N10F7
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
88
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STP100N10F7-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.11
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTP130N10T
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTP130N10T-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.59
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PSMN009-100P,127
ຜູ້ຜະລິດ
NXP Semiconductors
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
291
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PSMN009-100P,127-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.44
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDP090N10
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
12259
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDP090N10-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.50
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SQJA06EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHD180N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA

vishay-siliconix

SUD50P04-08-GE3

MOSFET P-CH 40V 50A TO252

vishay-siliconix

SIHD6N62ET1-GE3

MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA