SUM50010E-GE3

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SUM50010E-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SUM50010E-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 60V 150A TO263

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 60 V 150A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

ສິນຄ້າ:

1428 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12916214

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

SUM50010E-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

Strip

ຊຸດ

TrenchFET®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

150A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.75mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

212 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

10895 pF @ 30 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

375W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 175°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-263 (D2PAK)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

SUM50010

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

SUM50010E-GE3-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

800

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

vishay-siliconix

SQD40N10-25_GE3

MOSFET N-CH 100V 40A TO252

vishay-siliconix

SQD100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA

vishay-siliconix

SI7464DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR876DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8