SQS423EN-T1_BE3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SQS423EN-T1_BE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SQS423EN-T1_BE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 30 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

ສິນຄ້າ:

12939448
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SQS423EN-T1_BE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1975 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
62.5W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ເກຣດ
Automotive
ຄຸນສົມບັດ
AEC-Q101
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® 1212-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® 1212-8
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SQS423

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
742-SQS423EN-T1_BE3TR
742-SQS423EN-T1_BE3CT
742-SQS423EN-T1_BE3DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

IRF9Z30PBF-BE3

MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB

vishay-siliconix

SQ4182EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

microchip-technology

APT40M35JVR

MOSFET N-CH 400V 93A SOT227

vishay-siliconix

SQ2389ES-T1_BE3

MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3