SQJB60EP-T1_GE3

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SQJB60EP-T1_GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SQJB60EP-T1_GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

Mosfet Array 60V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

ສິນຄ້າ:

7392 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12918369

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

SQJB60EP-T1_GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

TrenchFET®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

ການຕັ້ງຄ່າ

2 N-Channel (Dual)

ລັກສະນະ FET

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V

ພະລັງ - Max

48W

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 175°C (TJ)

ເກຣດ

Automotive

ຄຸນສົມບັດ

AEC-Q101

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

PowerPAK® SO-8 Dual

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

PowerPAK® SO-8 Dual

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

SQJB60

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

SQJB60EP-T1_GE3-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

SQJB60EP-T1_GE3

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

SQJB60EP-T1_GE3CT

SQJB60EP-T1_GE3DKR

SQJB60EP-T1_GE3TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

Vendor Undefined

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

vishay-siliconix

SI9936BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC

onsemi

NTZD5110NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563

vishay-siliconix

SQJ963EP-T1_GE3

MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8

vishay-siliconix

SQJ844AEP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8