ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SQJ962EP-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SQJ962EP-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 60V 8A 25W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
ສິນຄ້າ:
12918009
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SQJ962EP-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
475pF @ 25V
ພະລັງ - Max
25W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ເກຣດ
Automotive
ຄຸນສົມບັດ
AEC-Q101
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SO-8 Dual
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SO-8 Dual
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SQJ962
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SQJ992EP-T1_GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2942
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SQJ992EP-T1_GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.48
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI4816DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7.7A 8SOIC
SQJB70EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 100V 11.3A PPAK SO8
SI7501DN-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
