ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SQJ960EP-T1_GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SQJ960EP-T1_GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 60V 8A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
ສິນຄ້າ:
4430 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12917772
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SQJ960EP-T1_GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
735pF @ 25V
ພະລັງ - Max
34W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ເກຣດ
Automotive
ຄຸນສົມບັດ
AEC-Q101
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SO-8 Dual
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SO-8 Dual
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SQJ960
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SQJ960EP-T1-GE3
SQJ960EP-T1_GE3DKR
SQJ960EP-T1-GE3-DG
SQJ960EP-T1_GE3CT
SQJ960EP-T1_GE3TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI4500BDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8-SOIC
SIA915DJ-T4-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 3.7A SC70-6
SQJ914EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
