SQJ174EP-T1_GE3

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SQJ174EP-T1_GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SQJ174EP-T1_GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 60 V 293A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

ສິນຄ້າ:

14945 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12993137

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

SQJ174EP-T1_GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

TrenchFET®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

293A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

81 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

6111 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

500W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 175°C (TJ)

ເກຣດ

Automotive

ຄຸນສົມບັດ

AEC-Q101

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

PowerPAK® SO-8

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

PowerPAK® SO-8

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET

ບັນທຶກ HTML

SQJ174EP-T1_GE3-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

SQJ174EP-T1_GE3

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

742-SQJ174EP-T1_GE3CT

742-SQJ174EP-T1_GE3TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

PSMN1R4-40YLD/1X

MOSFET

vishay-siliconix

SIHB5N80AE-GE3

E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-

panjit

PJA138K_R1_00001

SOT-23, MOSFET

PSMN1R0-30YLD/1X

MOSFET