ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SQ4532AEY-T1_GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SQ4532AEY-T1_GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 30V 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC
ສິນຄ້າ:
3323 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12786868
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SQ4532AEY-T1_GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
N and P-Channel
ລັກສະນະ FET
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
535pF @ 15V, 528pF @ 15V
ພະລັງ - Max
3.3W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ເກຣດ
Automotive
ຄຸນສົມບັດ
AEC-Q101
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SOIC
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SQ4532
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
SQ4532AEY-T1_GE3CT
SQ4532AEY-T1_GE3-DG
SQ4532AEY-T1_GE3TR
SQ4532AEY-T1_GE3DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SQJ992EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8
SQJ500AEP-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
SISF00DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK 12