ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SQ2361ES-T1_GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SQ2361ES-T1_GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 60 V 2.8A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount
ສິນຄ້າ:
67194 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12920626
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SQ2361ES-T1_GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Last Time Buy
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
177mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ເກຣດ
Automotive
ຄຸນສົມບັດ
AEC-Q101
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SQ2361
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SQ2361ES-T1_GE3DKR
SQ2361ES-T1_GE3CT
SQ2361ES-T1-GE3
SQ2361ES-T1_GE3TR
SQ2361ES-T1_GE3-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDN5618P
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
31131
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDN5618P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.11
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SQ2361ES-T1_BE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
23050
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SQ2361ES-T1_BE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.19
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
VS-FA38SA50LCP
MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
SI8447DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 11A 6MICRO FOOT
SQD10N30-330H_GE3
MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
