ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIZF906DT-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIZF906DT-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 2N-CH 30V 60A 8POWERPAIR
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 30V 60A (Tc) 38W (Tc), 83W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
ສິນຄ້າ:
16133 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12786572
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIZF906DT-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET® Gen IV
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Half Bridge)
ລັກສະນະ FET
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
ພະລັງ - Max
38W (Tc), 83W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TA)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerWDFN
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-PowerPair® (6x5)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIZF906
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SIZF906DT-T1-GE3CT
SIZF906DT-T1-GE3CT-DG
SIZF906DT-T1-GE3TR
742-SIZF906DT-T1-GE3TR
742-SIZF906DT-T1-GE3CT
SIZF906DT-T1-GE3TR-DG
742-SIZF906DT-T1-GE3DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SQJQ906E-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 95A PPAK8X8
SI7909DN-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A PPAK 1212
SI9933CDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
