ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIZF906BDT-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIZF906BDT-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 2N-CH 30V 36A 8PWRPAIR
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 30V 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc) 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
ສິນຄ້າ:
28356 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12949192
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIZF906BDT-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET® Gen IV
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual), Schottky
ລັກສະນະ FET
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 15A, 10V, 680µOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
ພະລັງ - Max
4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerWDFN
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-PowerPair® (6x5)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIZF906
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
742-SIZF906BDT-T1-GE3CT
742-SIZF906BDT-T1-GE3DKR
742-SIZF906BDT-T1-GE3TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
DMTH6016LPD-13
MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
DMC31D5UDJ-7B
MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963
ZXMHC3A01N8TC
MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.17A 8SO
