ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIZ916DT-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIZ916DT-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
ສິນຄ້າ:
12921772
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIZ916DT-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Half Bridge)
ລັກສະນະ FET
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
16A, 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1208pF @ 15V
ພະລັງ - Max
22.7W, 100W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerWDFN
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-PowerPair® (6x5)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIZ916
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SIZ916DT-T1-GE3TR
SIZ916DTT1GE3
SIZ916DT-T1-GE3CT
SIZ916DT-T1-GE3DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDMS3604S
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDMS3604S-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.50
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
NTMFD4C20NT1G
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
NTMFD4C20NT1G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.94
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SIZ980DT-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
7153
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SIZ980DT-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.55
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
ZDM4306NTA
MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
SIA513DJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
DMN2041UVT-7
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26
