ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIZ320DT-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIZ320DT-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 2N-CH 25V 30A/40A 8PWR33
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 25V 30A (Tc), 40A (Tc) 16.7W, 31W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
ສິນຄ້າ:
6075 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12920234
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIZ320DT-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
PowerPAIR®, TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
30A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
ພະລັງ - Max
16.7W, 31W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerWDFN
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-Power33 (3x3)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIZ320
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SIZ320DT-T1-GE3DKR
SIZ320DT-T1-GE3TR
SIZ320DT-T1-GE3CT
SIZ320DT-T1-GE3-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SIB911DK-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L
SI6963BDQ-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP
SI5938DU-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
