ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SISH615ADN-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SISH615ADN-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 20 V 22.1A (Ta), 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
ສິນຄ້າ:
71932 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12917488
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SISH615ADN-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET® Gen III
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
22.1A (Ta), 35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
183 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5590 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® 1212-8SH
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® 1212-8SH
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SISH615
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SISH615ADN-T1-GE3CT
SISH615ADN-T1-GE3TR
SISH615ADN-T1-GE3DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SIR878BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
SQM50N04-4M0L_GE3
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263
SI4484EY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SO