ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIS698DN-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIS698DN-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 6.9A PPAK1212-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 6.9A (Tc) 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
ສິນຄ້າ:
12786633
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIS698DN-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
195mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
210 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
19.8W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® 1212-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® 1212-8
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIS698
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RQ7E110AJTCR
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1294
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RQ7E110AJTCR-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.33
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RQ3L050GNTB
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
14048
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RQ3L050GNTB-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.24
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RQ3G150GNTB
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5884
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RQ3G150GNTB-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.44
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SIHP17N60D-GE3
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
SIHA22N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
SIS414DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
