ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIS439DNT-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIS439DNT-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
ສິນຄ້າ:
12786451
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIS439DNT-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2135 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-50°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® 1212-8S
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® 1212-8S
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIS439
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SIS439DNT-T1-GE3DKR
SIS439DNT-T1-GE3TR
SIS439DNT-T1-GE3CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDMC6679AZ
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
70
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDMC6679AZ-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.49
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
BSZ086P03NS3GATMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
6668
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
BSZ086P03NS3GATMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.29
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SISH402DN-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
30
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SISH402DN-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.32
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DMG7401SFG-13
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1455
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DMG7401SFG-13-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.15
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
BSZ086P03NS3EGATMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
6713
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
BSZ086P03NS3EGATMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.29
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SIR165DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SQS462EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
SUM110N10-09-E3
MOSFET N-CH 100V 110A TO263
