SIS176LDN-T1-GE3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SIS176LDN-T1-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SIS176LDN-T1-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 70 V 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

ສິນຄ້າ:

19887 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12950360
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SIS176LDN-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET® Gen IV
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
70 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3.3V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.9mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1660 pF @ 35 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3.6W (Ta), 39W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® 1212-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® 1212-8

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
SIS176LDN

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
742-SIS176LDN-T1-GE3TR
742-SIS176LDN-T1-GE3DKR
742-SIS176LDN-T1-GE3CT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SIR510DP-T1-RE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

vishay-siliconix

SISH536DN-T1-GE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SIHP080N60E-GE3

E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,

vishay-siliconix

SIHF080N60E-GE3

E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL