ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIRS700DP-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIRS700DP-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 30A (Ta), 127A (Tc) 7.4W (Ta),132W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
ສິນຄ້າ:
4359 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12974811
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIRS700DP-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET® Gen IV
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
30A (Ta), 127A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5950 pF @ 50 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
7.4W (Ta),132W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SO-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SO-8
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
742-SIRS700DP-T1-GE3TR
742-SIRS700DP-T1-GE3DKR
742-SIRS700DP-T1-GE3CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
G1003A
N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
TSM500N15CS RLG
150V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
G1003A
MOSFET N-CH ESD 100V 1.7A SOT-23
