ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIRA62DP-T1-RE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIRA62DP-T1-RE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 51.4A (Ta), 80A (Tc) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
ສິນຄ້າ:
5986 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12787041
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIRA62DP-T1-RE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET® Gen IV
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
51.4A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+16V, -12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4460 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SO-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SO-8
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIRA62
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SIRA62DP-T1-RE3CT
SIRA62DP-T1-RE3TR
2266-SIRA62DP-T1-RE3TR
SIRA62DP-T1-RE3DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SIHG61N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
SIHB24N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
SIHG11N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC