SIRA50DP-T1-RE3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SIRA50DP-T1-RE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SIRA50DP-T1-RE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 40 V 62.5A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ
12786515
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SIRA50DP-T1-RE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET® Gen IV
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
62.5A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
194 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8445 pF @ 20 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
6.25W (Ta), 100W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SO-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SO-8
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIRA50

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
SIRA50DP
ບັນທຶກ HTML
SIRA50DP-T1-RE3-DG
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
SIRA50DP-T1-RE3

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SIRA50DP-T1-RE3TR
SIRA50DP-T1-RE3DKR
SIRA50DP-T1-RE3CT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RS3L045GNGZETB
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1173
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RS3L045GNGZETB-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.25
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RQ3G100GNTB
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
112698
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RQ3G100GNTB-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.14
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RS1G150MNTB
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RS1G150MNTB-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.32
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RS1G260MNTB
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2296
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RS1G260MNTB-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.77
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SQM25N15-52_GE3

MOSFET N-CH 150V 25A TO263

vishay-siliconix

SIR422DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIJ438DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQ3426EEV-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP