ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIR874DP-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIR874DP-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 25 V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
ສິນຄ້າ:
12966449
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIR874DP-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
985 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SO-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SO-8
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIR874
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
CSD16412Q5A
ຜູ້ຜະລິດ
Texas Instruments
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4364
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
CSD16412Q5A-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.28
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
CSD16410Q5A
ຜູ້ຜະລິດ
Texas Instruments
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2506
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
CSD16410Q5A-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.27
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
MSJU11N65-TP
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
SIB413DK-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
MCAC80N10Y-TP
MOSFET N-CH 100V 80A DFN5060
