ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIR608DP-T1-RE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIR608DP-T1-RE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 45 V 51A (Ta), 208A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
ສິນຄ້າ:
12786886
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIR608DP-T1-RE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET® Gen IV
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
45 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
51A (Ta), 208A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
167 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8900 pF @ 20 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SO-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SO-8
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIR608
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SIR608DP-T1-RE3CT
SIR608DP-T1-RE3TR
SIR608DP-T1-RE3DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RS3L045GNGZETB
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1173
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RS3L045GNGZETB-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.25
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RS1L145GNTB
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1003
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RS1L145GNTB-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.81
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SIHG70N60AEF-GE3
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
SIHB33N60ET5-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO263
SUP90N06-6M0P-E3
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
