SIR403EDP-T1-GE3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SIR403EDP-T1-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SIR403EDP-T1-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

ສິນຄ້າ:

13481 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12787462
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SIR403EDP-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
153 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4620 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
5W (Ta), 56.8W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SO-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SO-8
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIR403

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
742-SIR403EDP-T1-GE3CT
742-SIR403EDP-T1-GE3TR
742-SIR403EDP-T1-GE3DKR
SIR403EDP-T1-GE3-DG

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SIS330DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIRA90DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SUP85N10-10-GE3

MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB

vishay-siliconix

SIR158DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8