SIJ462ADP-T1-GE3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SIJ462ADP-T1-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SIJ462ADP-T1-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 60V 15.8A/39.3A PPAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 15.8A (Ta), 39.3A (Tc) 3.6W (Ta), 22.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

ສິນຄ້າ:

11348 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12967120
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SIJ462ADP-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
15.8A (Ta), 39.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1235 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3.6W (Ta), 22.3W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SO-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SO-8
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIJ462

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
742-SIJ462ADP-T1-GE3TR
742-SIJ462ADP-T1-GE3CT
742-SIJ462ADP-T1-GE3DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
onsemi

NTD600N80S3Z

MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE

vishay-siliconix

SIHB17N80E-T1-GE3

MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK

rohm-semi

RRS075P03Z00TB1

MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

alpha-and-omega-semiconductor

AO6401

MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP