ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIJ188DP-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIJ188DP-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 25.5A (Ta), 92.4A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
ສິນຄ້າ:
3440 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12786958
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIJ188DP-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET® Gen IV
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.85mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1920 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SO-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SO-8
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIJ188
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SIJ188DP-T1-GE3TR
SIJ188DP-T1-GE3DKR
SIJ188DP-T1-GE3CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SIHD6N62E-GE3
MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
SIR164DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
