SIHP12N50E-BE3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SIHP12N50E-BE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SIHP12N50E-BE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

N-CHANNEL 500V
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 500 V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Through Hole TO-220AB

ສິນຄ້າ:

982 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12999545
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SIHP12N50E-BE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
886 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
114W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220AB
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
742-SIHP12N50E-BE3
742-SIHP12N50E-BE3TR-DG
742-SIHP12N50E-BE3TR
742-SIHP12N50E-BE3CTINACTIVE
742-SIHP12N50E-BE3DKRINACTIVE

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
onsemi

NTH4L040N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

goford-semiconductor

G7P03S

MOSFET P-CH 30V 9A SOP-8

goford-semiconductor

GT025N06D5

MOSFET N-CH 60V 170A DFN5*6-8L

vishay-siliconix

SQJ433EP-T1_BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET