ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIHLR120-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIHLR120-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA
ສິນຄ້າ:
13277346
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIHLR120-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 4.6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
490 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-252AA
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIHLR120
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
742-SIHLR120-GE3TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRLR120TRPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4781
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRLR120TRPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.55
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SIHF530-GE3
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
SQD45P03-12-T4_GE3
MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
SQJ412EP-T2_GE3
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8