SIHH180N60E-T1-GE3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SIHH180N60E-T1-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SIHH180N60E-T1-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ
12920747
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SIHH180N60E-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
E
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1085 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
114W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® 8 x 8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIHH180

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
SIHH180N60E

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SIHH180N60E-T1-GE3TR
SIHH180N60E-T1-GE3CT
SIHH180N60E-T1-GE3DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
onsemi

2SJ652-1E

MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG

vishay-siliconix

SISS42DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK

vishay-siliconix

SUP60030E-GE3

MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB

vishay-siliconix

SUM110P04-05-E3

MOSFET P-CH 40V 110A TO263