SIHG052N60EF-GE3

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SIHG052N60EF-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SIHG052N60EF-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 600V 48A TO247AC

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 600 V 48A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

13142116

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

SIHG052N60EF-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

EF

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

48A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

101 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3380 pF @ 100 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

278W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-247AC

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-247-3

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

SIHG052

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

500

ຊື່ ອື່ນໆ

742-SIHG052N60EF-GE3

742-SIHG052N60EF-GE3TR

742-SIHG052N60EF-GE3TR-ND

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

vishay-siliconix

SIR106ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK

unitedsic

UF3C065080B3

MOSFET N-CH 650V 25A TO263

qorvo

UJ3C065080T3S

MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3

unitedsic

UF3C065080K4S

MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4