SIHF7N60E-E3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SIHF7N60E-E3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SIHF7N60E-E3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 600V 7A TO220
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ
12916527
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SIHF7N60E-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
680 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
31W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220 Full Pack
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIHF7

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
SIHF7N60E
ບັນທຶກ HTML
SIHF7N60E-E3-DG
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
SIHF7N60E-E3

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SIHF7N60EE3

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STF10NM60N
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
553
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STF10NM60N-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.34
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
R6007ENX
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
129
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
R6007ENX-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.92
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FCPF7N60YDTU
ຜູ້ຜະລິດ
Fairchild Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3222
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FCPF7N60YDTU-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.02
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SPA07N60C3XKSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
487
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SPA07N60C3XKSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.90
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TK12A60D(STA4,Q,M)
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
54
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TK12A60D(STA4,Q,M)-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.15
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SUM70N04-07L-E3

MOSFET N-CH 40V 70A TO263

vishay-siliconix

SIR432DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHF15N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 15A TO220

nexperia

BUK969R3-100E,118

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK