SIHB18N60E-GE3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SIHB18N60E-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SIHB18N60E-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 600V 18A TO263
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ
12787122
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SIHB18N60E-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
202mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
179W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-263 (D2PAK)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIHB18

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
SIHB18N60E
ບັນທຶກ HTML
SIHB18N60E-GE3-DG
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
SIHB18N60E-GE3

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTA24N65X2
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
50
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTA24N65X2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.52
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STB21N65M5
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1748
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STB21N65M5-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.31
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFA22N65X2
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
250
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFA22N65X2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.56
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STB28N60M2
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STB28N60M2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.41
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPB60R165CPATMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3135
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPB60R165CPATMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.21
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SIHH24N65EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SIHG22N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC

vishay-siliconix

SQM90142E_GE3

MOSFET N-CH 200V 95A TO263

vishay-siliconix

SIHB11N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK