ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIHB12N60ET5-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIHB12N60ET5-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
ສິນຄ້າ:
12786821
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIHB12N60ET5-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
E
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
937 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
147W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-263 (D2PAK)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIHB12
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
800
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FCB11N60TM
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
135
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FCB11N60TM-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.43
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPB60R299CPAATMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3987
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPB60R299CPAATMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.41
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPB65R310CFDAATMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1407
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPB65R310CFDAATMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.29
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SIHB12N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
SQD50N04-5M6_T4GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
SIHP24N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
