ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIHA22N60AE-E3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIHA22N60AE-E3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
ສິນຄ້າ:
12966419
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIHA22N60AE-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
E
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1451 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
33W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220 Full Pack
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIHA22
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPA60R170CFD7XKSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
255
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPA60R170CFD7XKSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.29
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPAW60R180P7SXKSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
451
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPAW60R180P7SXKSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.69
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FCPF190N60
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
800
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FCPF190N60-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.60
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
ZVN3320A
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
PJC7428_R1_00001
SOT-323, MOSFET
SIRA18DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
