ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIB437EDKT-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIB437EDKT-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK TSC75-6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 8 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® TSC75-6
ສິນຄ້າ:
12786981
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIB437EDKT-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±5V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® TSC75-6
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® TSC-75-6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIB437
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SIB437EDKT-T1-GE3-DG
SIB437EDKT-T1-GE3TR
SIB437EDKT-T1-GE3CT
SIB437EDKT-T1-GE3DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SIHP12N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
SIHA25N50E-E3
MOSFET N-CH 500V 26A TO220
SIR172DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8