ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIB422EDK-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIB422EDK-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 20 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
ສິນຄ້າ:
2310 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12918025
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIB422EDK-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.5W (Ta), 13W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SC-75-6
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SC-75-6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIB422
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SIB422EDK-T1-GE3DKR
SIB422EDKT1GE3
SIB422EDK-T1-GE3TR
SIB422EDK-T1-GE3CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDMA420NZ
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4870
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDMA420NZ-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.24
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI7116DN-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
SI5480DU-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
SI7344DP-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8
