ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIB411DK-T1-E3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIB411DK-T1-E3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
ສິນຄ້າ:
12918395
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIB411DK-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
66mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SC-75-6
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SC-75-6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIB411
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SIB411DK-T1-E3CT
SIB411DK-T1-E3DKR
SIB411DK-T1-E3TR
SIB411DKT1E3
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI7792DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK
SQ3419EV-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
SIA441DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
