SIA920DJ-T1-GE3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SIA920DJ-T1-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SIA920DJ-T1-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC70-6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 8V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

ສິນຄ້າ:

12918630
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SIA920DJ-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
8V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
470pF @ 4V
ພະລັງ - Max
7.8W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SC-70-6 Dual
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SC-70-6 Dual
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIA920

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SIA910EDJ-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2096
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SIA910EDJ-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.17
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SI7925DN-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A PPAK 1212

nexperia

BUK7K5R6-30E,115

MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D

vishay-siliconix

SI7923DN-T1-E3

MOSFET 2P-CH 30V 4.3A PPAK 1212

vishay-siliconix

SI7900AEDN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212