SIA533EDJ-T1-GE3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SIA533EDJ-T1-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SIA533EDJ-T1-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

ສິນຄ້າ:

47628 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12787321
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SIA533EDJ-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
N and P-Channel
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
12V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 6V
ພະລັງ - Max
7.8W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SC-70-6 Dual
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SC-70-6 Dual
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIA533

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SIA533EDJ-T1-GE3DKR
SIA533EDJT1GE3
SIA533EDJ-T1-GE3CT
SIA533EDJ-T1-GE3TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SIZ342DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33

vishay-siliconix

SIA936EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SIA912DJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SQUN702E-T1_GE3

MOSFET N/P-CH 40V/200V 30A DIE