ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIA419DJ-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIA419DJ-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
ສິນຄ້າ:
12915758
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIA419DJ-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SC-70-6
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SC-70-6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIA419
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SIA419DJT1GE3
SIA419DJ-T1-GE3TR
SIA419DJ-T1-GE3CT
SIA419DJ-T1-GE3DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI4840DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
SI3424BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
SI4486EY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO
