ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIA411DJ-T1-E3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIA411DJ-T1-E3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
ສິນຄ້າ:
12786571
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIA411DJ-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SC-70-6
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SC-70-6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIA411
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SIA411DJT1E3
SIA411DJ-T1-E3CT
SIA411DJ-T1-E3TR
SIA411DJ-T1-E3DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PMPB29XPE,115
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
14231
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PMPB29XPE,115-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.11
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SIA429DJT-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
27360
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SIA429DJT-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.16
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SIHP28N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB
SUM110P06-07L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
SIHP25N60EFL-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
