SI8808DB-T2-E1

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SI8808DB-T2-E1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SI8808DB-T2-E1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 30 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot

ສິນຄ້າ:

8727 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12912427

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

SI8808DB-T2-E1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

TrenchFET®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

1.8A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10 nC @ 8 V

Vgs (Max)

±8V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

330 pF @ 15 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

500mW (Ta)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

4-Microfoot

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

4-UFBGA

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

SI8808

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

SI8808DB-T2-E1-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

SI8808DBT2E1

SI8808DB-T2-E1CT

SI8808DB-T2-E1TR

SI8808DB-T2-E1DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

vishay-siliconix

IRFD9014PBF

MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP

vishay-siliconix

IRFP22N60KPBF

MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3

vishay-siliconix

IRFP140PBF

MOSFET N-CH 100V 31A TO247-3

vishay-siliconix

IRFSL31N20DTRR

MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK