ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI8805EDB-T2-E1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI8805EDB-T2-E1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 8 V 2.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
ສິນຄ້າ:
12912518
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI8805EDB-T2-E1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
68mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±5V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
500mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
4-Microfoot
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
4-XFBGA, CSPBGA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI8805
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI8805EDB-T2-E1-DG
SI8805EDB-T2-E1CT
SI8805EDB-T2-E1TR
SI8805EDB-T2-E1DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI8823EDB-T2-E1
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2971
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI8823EDB-T2-E1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.08
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI4410BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO
IRLI520G
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3
IXFA130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO263