ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI8802DB-T2-E1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI8802DB-T2-E1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 8 V 3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
ສິນຄ້າ:
35190 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12914414
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI8802DB-T2-E1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
54mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±5V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
500mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
4-Microfoot
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
4-XFBGA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI8802
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI8802DB-T2-E1CT
SI8802DB-T2-E1TR
SI8802DB-T2-E1DKR
SI8802DBT2E1
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI3499DV-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
IRFRC20TR
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
SI1403BDL-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
