ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI8472DB-T2-E1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI8472DB-T2-E1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 20 V 3.3A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1x1)
ສິນຄ້າ:
12928 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12919922
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI8472DB-T2-E1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
630 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
780mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
4-MICRO FOOT® (1x1)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
4-UFBGA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI8472
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI8472DB-T2-E1TR
SI8472DB-T2-E1-DG
SI8472DB-T2-E1CT
SI8472DB-T2-E1DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SIA425EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
SI7120DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
SIE822DF-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
