ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI8429DB-T1-E1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI8429DB-T1-E1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 8 V 11.7A (Tc) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
ສິນຄ້າ:
20174 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12917673
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI8429DB-T1-E1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
11.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 4 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
4-Microfoot
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
4-XFBGA, CSPBGA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI8429
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI8429DB-T1-E1DKR
SI8429DBT1E1
SI8429DB-T1-E1CT
SI8429DB-T1-E1TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI3483CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
SQJA84EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 46A PPAK SO-8
SIHS36N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247