SI8424CDB-T1-E1
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SI8424CDB-T1-E1

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SI8424CDB-T1-E1-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 8 V 6.3A (Ta) 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot

ສິນຄ້າ:

2000 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12920216
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SI8424CDB-T1-E1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2340 pF @ 4 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
4-Microfoot
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
4-UFBGA, WLCSP
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI8424

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI8424CDB-T1-E1CT
SI8424CDBT1E1
SI8424CDB-T1-E1DKR
SI8424CDB-T1-E1TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SIE864DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 45A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SIHF12N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 12A TO220

vishay-siliconix

SIJA54DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI2319DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3