ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI8417DB-T2-E1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI8417DB-T2-E1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 12V 14.5A 6MICROFOOT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 12 V 14.5A (Tc) 2.9W (Ta), 6.57W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
ສິນຄ້າ:
12913034
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI8417DB-T2-E1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
14.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2220 pF @ 6 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.9W (Ta), 6.57W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-Micro Foot™ (1.5x1)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-MICRO FOOT®CSP
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI8417
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI8499DB-T2-E1
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5505
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI8499DB-T2-E1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.18
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFR9110PBF
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
IXFX60N55Q2
MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247-3
IRFZ34L
MOSFET N-CH 60V 30A TO262-3
