ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI8404DB-T1-E1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI8404DB-T1-E1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 8 V 12.2A (Tc) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
ສິນຄ້າ:
12915406
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI8404DB-T1-E1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
12.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1950 pF @ 4 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
4-Microfoot
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
4-XFBGA, CSPBGA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI8404
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI8404DBT1E1
SI8404DB-T1-E1CT
SI8404DB-T1-E1TR
SI8404DB-T1-E1DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFR9010TRR
MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
SI7742DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI7196DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8