SI7810DN-T1-E3

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SI7810DN-T1-E3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SI7810DN-T1-E3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 100 V 3.4A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

ສິນຄ້າ:

8798 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12919735

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

vHFg

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

SI7810DN-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

TrenchFET®

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

3.4A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

62mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

1.5W (Ta)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

PowerPAK® 1212-8

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

PowerPAK® 1212-8

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

SI7810

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

SI7810DN-T1-E3-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

3,000

ຊື່ ອື່ນໆ

SI7810DN-T1-E3CT

SI7810DNT1E3

SI7810DN-T1-E3DKR

SI7810DN-T1-E3TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

vishay-siliconix

SI7117DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK

vishay-siliconix

SIR850DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQM110P06-8M9L_GE3

MOSFET P-CH 60V 110A TO263

vishay-siliconix

SI7434DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8