ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI7407DN-T1-E3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI7407DN-T1-E3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 12 V 9.9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
ສິນຄ້າ:
12916962
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI7407DN-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
9.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 400µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.5W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® 1212-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® 1212-8
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI7407
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI7613DN-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
52730
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI7613DN-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.36
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SQJA70EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 14.7A PPAK SO-8
SIR692DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
SISS66DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK
